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神視光電耦合器技術(shù)樣本,日本SUNX光電耦合器
子間反方向耐大正向IFP 正向電流的大瞬間值。動(dòng)作LED電流
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為使PhotoMOS正常進(jìn)行動(dòng)作的輸出端電源電壓范圍。交流時(shí)用峰值來(lái)
連續(xù)負(fù)載電流IL 在規(guī)定的環(huán)境溫度條件下，可在PhotoMOS的輸出端子間連續(xù)
流通的大電流值。交流時(shí)用峰值表示導(dǎo)通電阻
Ron 輸入端子中流通規(guī)定的LED電流，輸出端子中流通規(guī)定的連續(xù)負(fù)載電流時(shí)，
輸出端子間的壓降VDS(on)可通過(guò)以下公式求得電氣性動(dòng)作時(shí)間on。
Voc 驅(qū)動(dòng)MOSFET時(shí)所需的電壓值。 路電Isc 使輸入端置ON時(shí)驅(qū)動(dòng)器輸出的電流。
 在輸入端子中流過(guò)規(guī)定的LED電流后，直至輸出為ON之前的延遲時(shí)間。 復(fù)位時(shí)間
IFon 在輸出端子間連接規(guī)定的電源電壓和負(fù)載的狀態(tài)下，增加了LED電流，
輸出為ON時(shí)的電流。 復(fù)位LED電IFoff 在輸出端子間連接規(guī)定的電源電
壓和負(fù)載后使其動(dòng)作，減少LED電流，輸出為OFED壓降
Ron＝VDS(on)/I開(kāi)路狀態(tài)漏電輸Pout 輸出端子間可允許的功率損耗。 釋放輸出電壓
Toff 將輸入端子中所流過(guò)的規(guī)定的LED電流切斷后，直至輸出為OFF之前的延遲時(shí)間。輸入/輸出端子間容量

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